摘要:
在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造中,靜態(tài)參數(shù)測(cè)試是驗(yàn)證器件性能與可靠性的基石。無(wú)論是研發(fā)階段的特性分析,還是量產(chǎn)中的質(zhì)量控制,對(duì)器件直流參數(shù)、IV曲線、動(dòng)態(tài)響應(yīng)等關(guān)鍵指標(biāo)的精準(zhǔn)捕捉,都直接影響產(chǎn)品的最終表現(xiàn)。 然而,傳統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)往往面臨精度不足、兼容性差、擴(kuò)展性弱等挑戰(zhàn),尤其在面對(duì)第三代半導(dǎo)體材料(如SiC、Ga
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—— 走進(jìn)-蘇州永創(chuàng)-STD2000X半導(dǎo)體電性測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)世界 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,半導(dǎo)體器件如同人體的“心臟”與“神經(jīng)”,其性能直接決定了整機(jī)的可靠性與效率。而如何對(duì)這些微小的“電子器官”進(jìn)行全面、精準(zhǔn)的“體檢”,成為了半導(dǎo)體研發(fā)、制造與質(zhì)量控制中不可或缺的一環(huán)。今天,我們就來(lái)聊聊半導(dǎo)體測(cè)試背后
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半導(dǎo)體分立器件電參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)測(cè)試哪些參數(shù) 測(cè)試參數(shù)主要是靜態(tài)參數(shù),如下所示 能測(cè)很多電子元器件靜態(tài)參數(shù)以及IV曲線掃描。如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs,Diodes,MOSFETs,HEMT,BJTs,SCRs,光耦,繼電器,穩(wěn)壓器......可以外接夾具、工裝、探針臺(tái)、分選機(jī)、
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IV曲線追蹤掃描儀&半導(dǎo)體圖示儀能測(cè)IGBT. Mosfet. Diode. BJT...... STD2000X—IV曲線追蹤掃描儀系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓
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蘇州永創(chuàng)智能 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng)_STD2000X 基礎(chǔ)信息 測(cè)試分析:功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試 失效分析:失效器件測(cè)試,失效機(jī)理,設(shè)計(jì)方案改善 選型配對(duì):器件焊接PCB之前測(cè)試,按器件一致性分類配對(duì) 來(lái)料檢驗(yàn):質(zhì)量部對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控良品率 量產(chǎn)測(cè)試:連接機(jī)械手、掃碼槍、分選
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半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)STD2000X能測(cè)很多電子元器件靜態(tài)參數(shù)以及IV曲線掃描 如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs,Diodes,MOSFETs,HEMT,BJTs,SCRs,光耦,繼電器,穩(wěn)壓器...... 可以外接夾具、工裝、探針臺(tái)、分選機(jī)、編帶機(jī)、機(jī)械手 高壓源 14
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半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)設(shè)備STD2000X能測(cè)很多電子元器件靜態(tài)參數(shù)以及IV曲線掃描 如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs,Diodes,MOSFETs,HEMT,BJTs,SCRs,光耦,繼電器,穩(wěn)壓器...... 可以外接夾具、工裝、探針臺(tái)、分選機(jī)、編帶機(jī)、機(jī)械手 高壓源 1400
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