常用的FA分析方案
FA無損分析:X-ray,Thermal。
FA有損分析:晶圓背部開封，晶圓正面開封測試，OBIRCH，EMMI，取DEI，扎針測試晶圓電性，去層分析。
常用的FA分析方案原理及作用簡述

1. X-ray
   原理：X射線穿透成像。
   作用：判斷封裝打線是否存在明顯異常，例如：打線塌絲，打線熔斷，打線脫球
2. Thermal
   原理：加電后對壞點部位發出的紅外輻射成像，高溫區域亮。
   作用：執行有損操作前，初步定位發熱點、局部熱點分析。例如：判斷熱點是位于打線還是晶圓。
3. 晶圓背部開封
   原理：激光燒掉塑封露出銅框架，硝酸去銅，清理干凈晶背。
   作用：裸露出晶背，后續可以做OBIRCH/EMMI定位壞點。觀察晶背下層是否存在燒傷。
4. 晶圓正面開封
   原理：使用化學藥劑腐蝕封裝材料，暴露芯片正面。
   作用：直接觀察晶圓表明是否存在燒傷。
5. OBIRCH
   原理：聚焦紅外激光對芯片電路進行掃描，當激光照射到存在泄漏電流（如短路、漏電）區域時，這些區域會由于吸收激光而略微升溫，導致該區域電阻發生變化，從而定位到壞點。
   作用：定位芯片短路、漏電路徑。例如：失效芯片引腳短路(低阻)。
6. EMMI
   原理：半導體器件在失效區域工作時會發出的微光。InGaAs紅外探測器捕獲光點成像，從而定位壞點位置。
   作用：定位晶圓短路、漏電、擊穿等缺陷區域。例如：晶圓工況異常，功耗異常時，可用于壞點定位。
7. 取DEI + 扎針測試晶圓電性
   原理：去除打線，取出晶圓；機臺探針代替打線，可加電測試工況。
   作用：對晶圓加電，測試工況。
8. 去層分析
   原理：通過化學腐蝕、等離子刻蝕或機械研磨等手段，逐步去除芯片的封裝材料及內部各功能層（如金屬層、介電層等），逐層暴露芯片內部結構。
   作用：直接觀察每層電路是否存在異常，確認缺陷所在的芯片具體層次。