芯片關(guān)鍵工藝分為幾步：AA（就是離子注入的主要位置）、poly（多晶硅材質(zhì)，電壓就是壓在他上面）、CT（這里指下面晶體管跟上面金屬線的連接層）、M1（金屬線第一層，一般越先進(jìn)的工藝，金屬線排布越復(fù)雜，不過工藝條件差不多，以第一層來代替后續(xù)工藝），AA、Poly更是將晶體管定義出來了，關(guān)鍵之處不言而喻，后面的CT、metal不過是將這些晶體管連起來的管路而已，特別是metal，都是重復(fù)堆疊，相比較而言更考驗(yàn)CMP（就是研磨，現(xiàn)在的東西鍍膜了要通過CMP磨平，金屬線填充的高低起伏要靠CMP磨平，所以現(xiàn)在金屬線的工藝水平幾乎受CMP制約）的能力。

做AA、Poly，最考驗(yàn)litho和etch（刻蝕，一般指離子刻蝕），怎么樣曝出來符合要求的尺寸，fab叫CD（critical dimension，特征尺寸，其實(shí)就是大家常說的45nm工藝等，poly的線寬），是最核心的工藝，一般fab里最頂尖的機(jī)臺(tái)和工程師就是為這個(gè)服務(wù)的，intel有魚鰭結(jié)構(gòu)的，后面或者3D晶體管，這個(gè)必須大牛才能解釋清楚了。