不同的mos管特點不一樣，簡單描述如下：

平面mos： 優點：EAS雪崩等參數比較大，很耐電流沖擊。缺點是：結電容等非常大，開關損耗非常大。驅動電流比較大，不好驅動。

SGT工藝mos： 優點：Qg、Ciss等參數很小，開關損耗非常小，適合高頻開關，特別是電流上來之后。驅動電壓低，驅動電流小，非常好驅動，對芯片驅動要求不高。 缺點：EAS雪崩等參數比較小。

溝槽mos： 則是介于平面mos管跟SGTmos之間。 由于mos管的損耗=導通內阻損耗+mos管開關損耗，同等內阻的情況下，SGT工藝的mos管結電容Qg跟Ciss最小，所以開關損耗是非常小的，高頻大電流的情況下，mos管開關損耗可能占整體損耗的90%。mos管另外需要關注開啟電壓Vth、Vgs耐壓等。

mos管選型建議：

1、需要扛電流沖擊的，普通邏輯開關或者工作頻率很低比如50kHZ以內的，電流非常大的情況比如實際工作6A以上的話一般建議選擇平面mos管。6A以內的應用，大電流溝槽型mos管即可。

2、需要高頻開關，比如500kHZ以上的，則需要選擇溝槽型或者SGT型的mos管，開關損耗占比非常小。

3、普通的PWM控制芯片搭配，應用于控制脈寬調制的，100-300KHZ芯片開關工作頻率的話，可以選擇溝槽型或者SGT型號，根據電流大小及開關頻率決定。此應用領域相對來說SGT的產品性能會好很多，但是價格相對高些。mos管的損耗=導通內阻損耗+mos管開關損耗。

4、一些對空間體積要求非常好的應用，一般選擇小體積超薄封裝DFN的mos管，特別是電流較大工作頻率較高的時候。