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      痞子衡嵌入式:簡析i.MXRT1170 Cortex-M7 FlexRAM ECC功能特點、開啟步驟、性能影響


        大家好,我是痞子衡,是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7內(nèi)核的FlexRAM ECC功能

        ECC是“Error Correcting Code”的簡寫,ECC能夠?qū)崿F(xiàn)錯誤檢查和糾正,含有ECC功能的內(nèi)存一般稱為ECC內(nèi)存,使用了ECC內(nèi)存的系統(tǒng)在穩(wěn)定性和可靠性上得到很大提升。相比前幾代不帶ECC的i.MXRT10xx型號,新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武裝,從eFuse到FlexRAM,從OCRAM到外部存儲空間全都加上了ECC功能。如下表所示,不同類型的存儲由不同的ECC控制器來守護:

        今天痞子衡就先給大家簡單介紹一下i.MXRT1170上Cortex-M7內(nèi)核下的FlexRAM ECC功能:

      一、FlexRAM ECC功能簡介

      1.1 FlexRAM v2特點

        i.MXRT1170上的FlexRAM模塊是v2版本,相比i.MXRT10xx上的FlexRAM v1版本,主要就是增加了ECC功能。關(guān)于FlexRAM v1基本功能,建議你先閱讀痞子衡之前寫過的文章 《恩智浦i.MX RT1xxx系列MCU外設(shè)那些事(2)- 百變星君FlexRAM》,痞子衡今天主要聊v2新增的功能。

        我們知道i.MXRT1170是Cortex-M7和Cortex-M4雙核架構(gòu),我們看下它的CM7內(nèi)核系統(tǒng)框圖,F(xiàn)lexRAM本質(zhì)上是為CM7內(nèi)核設(shè)計的,因為其管理的TCM空間僅能由CM7訪問的,不過如果將FlexRAM也分配出一部分給OCRAM,這部分OCRAM(即文章開頭memory map表里從0x20360000開始的空間)其實CM4也能正常訪問。

        在框圖中你還會發(fā)現(xiàn),F(xiàn)lexRAM中物理SRAM總大小是640KB,不是我們知道的可自由配置的512KB,這是因為需要額外128KB RAM來存放ECC校驗值,關(guān)于這個細節(jié)在下一節(jié)里展開聊。

      1.2 關(guān)于ECC設(shè)計細節(jié)

        關(guān)于ECC,大家最早接觸的應(yīng)該是ONFI Raw NAND上的應(yīng)用,NAND Flash因為其物理特性的原因(允許壞塊的存在),必須要包含ECC功能,痞子衡寫過的一篇文章 《并行NAND接口標準(ONFI)及SLC Raw NAND簡介》, 里面的 2.6 Raw NAND壞塊與ECC 簡單介紹了ECC在Raw NAND上的應(yīng)用。

        在Raw NAND上,通常是每寫入512bytes數(shù)據(jù)計算出一個ECC校驗值(4bytes),讀取時也是讀完全部512bytes數(shù)據(jù)后進行ECC校驗,ECC校驗?zāi)芰σ话阌?(n+1) bit檢錯,n bit糾錯 來表達,即這512bytes數(shù)據(jù)里如果發(fā)生n+1 bit及以下的錯誤時能夠檢查出來,如果發(fā)生n bit及以下的錯誤時,能夠自動糾正。比如典型的Micron MT29F4G08就是5-bit檢錯,4-bit糾錯。

        但是FlexRAM本質(zhì)上是RAM,跟Flash(尤其是NAND)讀寫機制不一樣,RAM是隨機地址按Byte讀寫,NAND是以Page為單位順序讀寫,所以NAND上ECC實現(xiàn)機制不適用于RAM。那么FlexRAM到底采用的是什么樣的ECC設(shè)計呢?

      nand_ecc.c,寫得非常經(jīng)典。

      存儲類型 ECC校驗數(shù)據(jù)塊大小 ECC校驗值長度 ECC校驗?zāi)芰?/th>
      Raw NAND 512 bytes 4 bytes 5-bit檢錯,4-bit糾錯
      FlexRAM 4/8 bytes 7/8 bits 2-bit檢錯,1-bit糾錯
      1.2.2 ECC RAM分配

        128KB ECC RAM并不是只能用來存儲ECC校驗值的,其也可以當做普通OCRAM來使用,ECC RAM具體功能是根據(jù)當前FlexRAM分配以及ECC是否開啟而定的。eFuse里默認的512KB FlexRAM配置是256KB ITCM, 256KB DTCM, 沒有OCRAM。

        在默認FlexRAM配置情況下,如果TCM ECC沒有開啟,那么128KB ECC RAM全部都是普通OCRAM,其地址空間如下表所示:

        在默認FlexRAM配置情況下,如果TCM ECC已經(jīng)開啟,那么128KB ECC RAM全部都用來存儲ECC校驗值,這個區(qū)域僅能由FlexRAM模塊內(nèi)部訪問,用戶無法訪問這128KB區(qū)域(不在memory map空間里),畢竟ECC校驗值不能被隨便改。

        如果我們在eFuse或者IOMUXC_GPR寄存器里將FlexRAM配置改掉,分配出一部分給OCRAM(比如256KB TCM, 256KB OCRAM),那這128KB ECC RAM功能分配就稍微復(fù)雜一些了。最簡單的情況是TCM和OCRAM ECC都沒有開啟,那么這128KB ECC RAM還是普通OCRAM,map地址是緊跟在FlexRAM OCRAM后面的,如下表所示:

        如果TCM和OCRAM ECC都開啟了,那么這128KB ECC RAM就還是全部用來存儲ECC校驗值了,用戶無法訪問。

        如果OCRAM ECC沒有開啟,不管TCM ECC是否開啟,這128KB ECC RAM中本用于存儲OCRAM ECC的區(qū)域都將被劃分為普通OCRAM,另一部分用于存儲TCM ECC的區(qū)域(無論是否真的要存儲ECC校驗值)用戶則無法訪問。區(qū)域劃分比例與OCRAM在總FlexRAM大小中占比保持一致,比如512KB FlexRAM(一共16個bank,每個bank 32KB)劃分出了256KB OCRAM,那么128KB ECC RAM(也是16個bank,每個bank 8KB)則劃出了64KB作為普通OCRAM,如下表所示:

      1.2.3 ECC錯誤觸發(fā)處理

        ECC錯誤分兩種,分別是1-bit錯誤和2-bit錯誤。從軟件層面來看,1-bit錯誤可以不用管,F(xiàn)lexRAM模塊會自動糾錯。我們主要處理2-bit錯誤,由于2-bit錯誤僅能檢錯,無法糾錯,所以發(fā)生了這個錯誤,就意味著讀取的數(shù)據(jù)不可靠了,需要丟棄并重新寫一次(丟棄之前可以再retry read一次看是否還是報錯)。

        關(guān)于ECC錯誤處理,可根據(jù)如下FlexRAM寄存器來操作,首先當然是在INT_SIG_EN寄存器中使能multi-bit ECC Error,當有2-bit錯誤發(fā)生時,系統(tǒng)會觸發(fā)FLEXRAM_IRQn(中斷號是50),在中斷處理程序里找到相應(yīng)的ECC_MULTI_ERROR_ADDR,對這個地址重新寫一次初始化數(shù)據(jù)(按ECC校驗塊長度一次性寫入),最后清除INT_STATUS寄存器里的相應(yīng)狀態(tài)位。

        需要注意的是,上述處理流程僅對FlexRAM中存放的是普通業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)且發(fā)生ECC錯誤時有效,如果ECC錯誤發(fā)生在關(guān)鍵代碼段或變量段中,這個處理是不適用的,因為這種ECC錯誤可能會造成程序崩潰。

      Offset Register
      10h Interrupt Status Register (INT_STATUS)
      14h Interrupt Status Enable Register (INT_STAT_EN)
      18h Interrupt Enable Register (INT_SIG_EN)
      30h OCRAM multi-bit ECC Error Address Register (OCRAM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)
      50h ITCM multi-bit ECC Error Address Register (ITCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)
      6Ch D0TCM multi-bit ECC Error Address Register (D0TCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)
      84h D1TCM multi-bit ECC Error Address Register (D1TCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR)

      二、開啟FlexRAM ECC的步驟

        FlexRAM ECC需要按照標準步驟去開啟,需要特別注意的是開啟ECC操作的代碼不能放在待開啟ECC的FlexRAM空間里(比如TCM ECC要開啟,那么開啟ECC操作的代碼不能使用任何TCM空間),因此不管是XIP還是Non-XIP應(yīng)用程序,最好是用一個二級loader(這個loader可以鏈接在固定OCRAM1/2空間里,或者XIP)來完成ECC開啟操作然后再加載應(yīng)用程序執(zhí)行。痞子衡給了如下示例loader代碼工程,代碼里主要有四個步驟:

      參考代碼:https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/blob/master/apps/coremark_imxrt1176/cm7_loader/loader.c

      2.1 使能TCM的RMW(可選)

        如果需要開啟TCM ECC,那么首先需要在CM7內(nèi)核寄存器里開啟TCM RMW(Read-Modify-Write)功能,這是ARM的規(guī)定,可在 Cortex-M7 Technical RM 手冊里找到相關(guān)信息如下。手冊里明確寫了RMW位同時也控制了外部邏輯(即MCU廠商的設(shè)計)來支持ECC功能。

        操作函數(shù)代碼如下:

      void enable_cm7_tcm_rmw(void)
      {
          SCB->ITCMCR |= SCB_ITCMCR_RMW_Msk;
          SCB->DTCMCR |= SCB_DTCMCR_RMW_Msk;
      }
      

      2.2 使能FlexRAM的ECC

        現(xiàn)在需要開啟FlexRAM ECC,在i.MXRT1170參考手冊里的FlexRAM章節(jié)可以找到FLEXRAM_CTRL寄存器定義,其中bit5和bit4就是用來分別控制TCM和OCRAM的ECC開關(guān)。

        操作函數(shù)代碼如下:

      void enable_flexram_tcm_ecc(void)
      {
          *(uint32_t *)(FLEXRAM_BASE + 0x108) |= (1u << 5);
      }
      
      void enable_flexram_ocram_ecc(void)
      {
          *(uint32_t *)(FLEXRAM_BASE + 0x108) |= (1u << 4);
      }
      

      2.3 初始化FlexRAM的ECC值

        FlexRAM ECC開啟了之后,此時還不能隨機訪問FlexRAM,因為初始ECC校驗值還沒有填充,如果這時候去讀FlexRAM會產(chǎn)生錯誤。我們首先需要將會用到的FlexRAM空間全部初始化一遍(就是以ECC校驗數(shù)據(jù)塊大小對齊方式從頭到尾寫入一遍,寫入內(nèi)容不限,正常用全0)。

        操作函數(shù)代碼如下:

      #define ITCM_START   0x00000000
      #define ITCM_SIZE    (256*1024U)  //只是示例長度,根據(jù)實際情況修改
      #define DTCM_START   0x20000000
      #define DTCM_SIZE    (256*1024U)  //只是示例長度,根據(jù)實際情況修改
      #define OCRAM_START  0x20360000
      #define OCRAM_SIZE   (256*1024U)  //只是示例長度,根據(jù)實際情況修改
      
      void init_flexram_itcm_ecc(void)
      {
          for (uint32_t i = 0; i < ITCM_SIZE; i += sizeof(uint64_t))
          {
              *(uint64_t *)(ITCM_START + i) = 0;
          }
      }
      
      void init_flexram_dtcm_ecc(void)
      {
          for (uint32_t i = 0; i < DTCM_SIZE; i += sizeof(uint32_t))
          {
              *(uint32_t *)(DTCM_START + i) = 0;
          }
      }
      
      void init_flexram_ocram_ecc(void)
      {
          for (uint32_t i = 0; i < OCRAM_SIZE; i += sizeof(uint64_t))
          {
              *(uint64_t *)(OCRAM_START + i) = 0;
          }
      }
      

      2.4 加載應(yīng)用程序執(zhí)行

        當FlexRAM初始ECC校驗值已經(jīng)被填充之后,此時便可以正常隨機讀寫FlexRAM了。如果此時加載的是一個在ITCM里執(zhí)行并且data段在DTCM里的應(yīng)用程序,可以參考痞子衡前面給出的示例loader工程。

        這是loader工程完整主函數(shù)代碼,其中memcpy那一句代碼里的cm7_app_code是應(yīng)用程序binary數(shù)組(用Python腳本將應(yīng)用程序工程生成的.bin文件轉(zhuǎn)換成C語言數(shù)組放到loader工程源文件里)。

      #define APP_START 0U
      
      uint32_t s_appStack = 0;
      uint32_t s_appEntry = 0;
      
      typedef void (*call_function_t)(void);
      call_function_t s_callFunction = 0;
      
      int main(void)
      {
          enable_cm7_tcm_ecc();
          enable_flexram_tcm_ecc();
          init_flexram_itcm_ecc();
          init_flexram_dtcm_ecc();
      
          // Copy image to RAM.
          memcpy((void *)APP_START, cm7_app_code, APP_LEN);
          
          s_appStack = *(uint32_t *)(APP_START);
          s_appEntry = *(uint32_t *)(APP_START + 4);
      
          // Turn off interrupts.
          __disable_irq();
      
          // Set the VTOR to default.
          SCB->VTOR = APP_START;
      
          // Memory barriers for good measure.
          __ISB();
          __DSB();
      
          // Set main stack pointer and process stack pointer.
          __set_MSP(s_appStack);
          __set_PSP(s_appStack);
      
          // Jump to app entry point, does not return.
          s_callFunction = (call_function_t)s_appEntry;
          s_callFunction();
      
          while (1);
      }
      

      三、ECC對內(nèi)存訪問性能的影響

        FlexRAM開了ECC后,訪問性能會有一定降低,畢竟數(shù)據(jù)訪問中插入了額外的ECC校驗工作,不過這個影響非常小,因為一次ECC校驗僅增加1-2個機器cycle。下面是FlexRAM分配出的不同存儲類型的基本情況,其中OCRAM可以被L1 Cache加速,所以從應(yīng)用程序角度開ECC對其訪問性能影響就更小了,我們主要討論ECC對TCM性能的影響。

      FlexRAM分配類型 ECC校驗數(shù)據(jù)塊大小 總線類型 訪問速度 L1 Cache加速
      ITCM 8 bytes ITCM_ITF 64-bits 與CM7同頻
      DTCM 4 bytes DTCM_ITF 2x32-bit 與CM7同頻
      OCRAM 8 bytes AXI64 與CM7頻率的1/4

        為了簡化測試,痞子衡就用經(jīng)典的benchmark程序(Coremark和Dhrystone)來測試ECC對TCM的影響,測試工程如下:

      Coremark工程:https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/tree/master/apps/coremark_imxrt1176/bsp/build7804_cm7_loader
      Dhrystone工程:https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/tree/master/apps/dhrystone_imxrt1176/bsp/build8402_cm7_loader

        需要特別提醒的是,我們知道i.MXRT1170 CM7內(nèi)核最高可以配置到1GHz,但是開了TCM ECC后,為了保證訪問可靠性,此時CM7內(nèi)核最好是工作在800MHz,下面的benchmark結(jié)果也是在800MHz主頻下得到的:

      Benchmark類型 TCM ECC開關(guān) Benchmark結(jié)果
      coremark 關(guān)閉 Total ticks : 2023600
      Total time (secs): 20.236000
      Iterations/Sec : 3953.350465
      Iterations : 80000
      CoreMark 1.0 : 3953.350465
      coremark 開啟 Total ticks : 2023657
      Total time (secs): 20.236570
      Iterations/Sec : 3953.239111
      Iterations : 80000
      CoreMark 1.0 : 3953.239111
      dhrystone 關(guān)閉 Dhrystones per Second: 3622138.51
      DMIPS: 2061.5472
      DMIPS/MHz: 2.0698
      dhrystone 開啟 Dhrystones per Second: 3621977.04
      DMIPS: 2061.4553
      DMIPS/MHz: 2.0697

        從benchmark結(jié)果來看,ECC是否開啟對性能影響特別小,可以忽略,當然benchmark測試并不是特別精確地反映了性能影響,底下有空痞子衡會再專門用memcpy函數(shù)來測試性能影響。

        至此,恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7內(nèi)核的FlexRAM ECC功能痞子衡便介紹完畢了,掌聲在哪里~~~

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      posted @ 2020-04-10 15:20  痞子衡  閱讀(3755)  評論(1)    收藏  舉報
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