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      痞子衡嵌入式:串行EEPROM接口事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)及SPI EEPROM簡(jiǎn)介


        大家好,我是痞子衡,是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是EEPROM接口標(biāo)準(zhǔn)及SPI EEPROM

        痞子衡之前寫(xiě)過(guò)一篇文章 《SLC Parallel NOR簡(jiǎn)介》,介紹過(guò)并行NOR Flash基本概念。眾所周知,現(xiàn)如今嵌入式非易失性存儲(chǔ)器基本被NOR Flash一統(tǒng)江湖了,但在Flash技術(shù)發(fā)明之前,EEPROM才是非易失性存儲(chǔ)器的霸主。EEPROM的全稱(chēng)是"電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器",即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM技術(shù)的發(fā)明可是拯救過(guò)一大批嵌入式工程師的,畢竟在這之前非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的演進(jìn)分別是ROM(只讀), PROM(只能寫(xiě)一次), EPROM(紫外線(xiàn)可擦除),擦除方式都不太友好,直到EEPROM的出現(xiàn)才變得人性化。雖說(shuō)現(xiàn)在Flash是主流,但在較低容量(2Mb以下)尤其是超低容量(1Kb以下)的市場(chǎng),EEPROM仍然有其不可替代的應(yīng)用場(chǎng)合。今天痞子衡就來(lái)好好聊一聊EEPROM:

      一、EEPROM背景簡(jiǎn)介

        聊到EEPROM發(fā)展史,不得不提浮柵MOSFET,這是一項(xiàng)發(fā)明于1967年的技術(shù),它是所有閃存的基礎(chǔ)。1970年,第一款成功的浮柵型器件-EPROM被發(fā)明。1979年,大名鼎鼎的SanDisk(閃迪)創(chuàng)始人Eli Harari,發(fā)明了世界上首個(gè)電可擦除的浮柵型器件即EEPROM。

        講到EEPROM必然要將它和與其相愛(ài)相殺的Flash一起對(duì)比。關(guān)于Flash大家都很熟悉,但其實(shí)Flash全稱(chēng)應(yīng)該叫Flash EEPROM,它屬于廣義的EEPROM。而本文主角EEPROM,指的是狹義的EEPROM,F(xiàn)lash和EEPROM最大的區(qū)別是:Flash按扇區(qū)操作,EEPROM按字節(jié)操作。Flash的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,容量可以做得比較大且在大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快,但缺點(diǎn)是操作過(guò)程麻煩,所以Flash適于當(dāng)不需頻繁改寫(xiě)的程序存儲(chǔ)器。而在有些應(yīng)用中往往需要頻繁的改寫(xiě)某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失,傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的EEPROM則非常適合。

        EEPROM不像NOR, NAND Flash技術(shù)演進(jìn)得那么復(fù)雜,因此實(shí)際上關(guān)于EEPROM并沒(méi)有成文的標(biāo)準(zhǔn),即使最知名的電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)之一JEDEC也沒(méi)有關(guān)于EEPROM的標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái),不過(guò)各大廠(chǎng)商生產(chǎn)的EEPROM似乎都遵從某種約定的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn),這在后面介紹的EEPROM接口命令里顯得尤為明顯。

      二、Serial EEPROM原理

      2.1 Serial EEPROM分類(lèi)

        從軟件驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)角度而言,Serial EEPROM可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)一步細(xì)分:

      地址碼長(zhǎng)度:1byte / 2byte / 3byte
      通信接口類(lèi)型:I2C / SPI / Microwire / UNIO Bus / Single-Wire

        本文的主要研究對(duì)象是SPI接口的EEPROM。

      2.2 SPI EEPROM內(nèi)存模型

        EEPROM內(nèi)存單元從大到小一般分為如下4層:Device、Sector、Page、Byte,其中Sector不是必有的,并且Page也只是個(gè)結(jié)構(gòu)概念,跟NOR Flash里的Page/Sector意義不一樣,因?yàn)?font color="Blue">Byte就是EEPROM讀寫(xiě)的最小單元(即可以任意地址隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)),所以你可以把EEPROM當(dāng)做一個(gè)非易失性的RAM。當(dāng)然有些高端EEPROM中集成了Page/Sector操作命令,這只是為了讓EEPROM操作效率更高而已。

      2.3 SPI EEPROM信號(hào)與封裝

        SPI EEPROM一般有8個(gè)腳,除去電源Vcc,地GND/Vss,以及SPI四根信號(hào)線(xiàn)(CS#, SCK, SI, SO)不言而喻之外,還有兩根特殊的控制信號(hào),即WP#(寫(xiě)保護(hù))和HOLD#(掛起)。WP#信號(hào)主要是從硬件層面上對(duì)EEPROM內(nèi)存進(jìn)行保護(hù),防止電路上的噪聲干擾篡改了EEPROM里的內(nèi)容;而HOLD#則提供EEPROM寫(xiě)操作暫停的功能,當(dāng)該信號(hào)有效的時(shí)候,SI信號(hào)輸入將被忽略,因此主機(jī)可以做其他更高優(yōu)先級(jí)的事情。

        SPI EEPROM雖然只有8pin,但是封裝種類(lèi)還是比較齊全的,這其中最經(jīng)典的當(dāng)屬JEDEC定義的8-lead SOIC,此外還有TSSOP8, UDFN8, WLCSP8,下圖羅列了常見(jiàn)封裝:

      2.4 SPI EEPROM接口命令

      2.4.1 事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)

        痞子衡在文章開(kāi)頭的時(shí)候講過(guò),SPI EEPROM并沒(méi)有什么成文的接口命令標(biāo)準(zhǔn),但是各大廠(chǎng)商生產(chǎn)的SPI EEPROM無(wú)一例外都支持下表的6條命令,即READ(讀內(nèi)存)、WRITE(寫(xiě)內(nèi)存)、WREN(寫(xiě)使能)、WRDI(寫(xiě)禁止)、RDSR(讀狀態(tài)寄存器)、WRSR(寫(xiě)狀態(tài)寄存器),所以從軟件接口層面而言,這6條命令就是SPI EEPROM事實(shí)上的接口命令標(biāo)準(zhǔn)。

        除了6條標(biāo)準(zhǔn)命令外,SPI EEPROM內(nèi)部還有一個(gè)8bit的狀態(tài)寄存器,用于反饋命令執(zhí)行狀態(tài),這8bit狀態(tài)寄存器的位定義也是存在如下表所示的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)的:

        不考慮寫(xiě)保護(hù)特性的話(huà),bit0 - RDY#和bit1 - WEL是比較常用的,RDY#位主要用于標(biāo)示所有涉及改變內(nèi)存或狀態(tài)寄存器的命令的執(zhí)行結(jié)果,WEL位則保存了上一次WREN和WRDI命令的執(zhí)行結(jié)果。狀態(tài)寄存器中的其他兩處定義bit7 - WPEN, bit[3:2] - BP[1:0]則主要與寫(xiě)保護(hù)特性有關(guān),它們的具體作用如下:

      2.4.2 廠(chǎng)商個(gè)性化

        除了6條事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)的命令外,有些廠(chǎng)商還實(shí)現(xiàn)了一些自定義的命令,這些命令并不一定通用,一般用于較大容量(3byte地址碼,512Kb以上)的EEPROM上。痞子衡找了一款非常經(jīng)典的EEPROM,來(lái)自Microchip的25AA系列(25AA1024),讓我們看看它有啥個(gè)性化的命令。這顆EEPROM容量為1Mb,屬于大容量EEPROM,為了提高EEPROM操作效率,Microchip為這顆EEPROM增加了Page/Sector/Chip Erase命令,使得擦除操作效率變高了,如果沒(méi)有這些個(gè)性化擦除命令,那么只能通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)WRITE命令去手動(dòng)實(shí)現(xiàn)擦除操作,既麻煩又低效。

      2.5 SPI EEPROM數(shù)據(jù)速率

        數(shù)據(jù)存取速率是個(gè)重要的技術(shù)指標(biāo),咱們來(lái)看看SPI EEPROM的讀寫(xiě)時(shí)序,前面痞子衡在講EEPROM分類(lèi)的時(shí)候提到過(guò)EEPROM地址碼有1byte/2byte/3byte之分,地址碼的區(qū)別主要體現(xiàn)了EEPROM讀寫(xiě)時(shí)序上。對(duì)于讀時(shí)序,在SPI總線(xiàn)發(fā)完READ(0x03)命令后,緊接著要發(fā)送想要讀取的內(nèi)存地址,地址碼不同,發(fā)送的地址字節(jié)數(shù)也不同。對(duì)于容量大于512Kb的EEPROM(即地址碼為3byte),顯然要發(fā)送3byte的地址,才能確定要讀的數(shù)據(jù)所在地址,然后才能進(jìn)行讀數(shù)據(jù)操作。

        而對(duì)于容量小于等于512Kb的EEPROM,關(guān)于1byte和2byte地址碼區(qū)分,有一個(gè)特殊的設(shè)計(jì),即對(duì)于512byte容量的EEPROM,按容量來(lái)說(shuō)其屬于2byte地址碼范疇,READ命令后需要發(fā)送2byte地址,但實(shí)際上只需要發(fā)送1byte地址(A7-A0),而最高地址位A8放在了READ命令碼bit3里,這樣可以節(jié)省1個(gè)字節(jié)的地址碼。因此1Kb - 512Kb容量的EEPROM地址碼為2byte,512byte及以下容量的EEPROM地址碼為1byte,如下圖所示:

        從上面讀時(shí)序可以看出,READ命令碼和地址碼發(fā)完之后幾乎沒(méi)有等待周期,就可以直接讀取EEPROM中數(shù)據(jù),因此EEPROM讀數(shù)據(jù)速率完全取決于SPI總線(xiàn)速率,所以我們只需要打開(kāi)EEPROM數(shù)據(jù)手冊(cè),看看它最高能支持多高的SPI總線(xiàn)速率即可(常見(jiàn)的有2MHz/5MHz/10MHz/20MHz)。

        對(duì)于寫(xiě)時(shí)序,就稍微復(fù)雜一些了,這里不考慮地址碼區(qū)別,以2byte地址為例。首先在發(fā)送WRITE命令之前需要發(fā)送一個(gè)WREN命令使能寫(xiě)操作,因?yàn)槟J(rèn)EEPROM在執(zhí)行完上一次寫(xiě)操作后會(huì)恢復(fù)寫(xiě)禁止?fàn)顟B(tài),在發(fā)送WRITE命令進(jìn)行寫(xiě)操作之前必須保證EEPROM處于寫(xiě)使能狀態(tài)。

        確保EEPROM進(jìn)入寫(xiě)使能狀態(tài)后,開(kāi)始發(fā)送WRITE命令,然后是地址碼,接著是要寫(xiě)入的數(shù)據(jù),痞子衡前面講過(guò)Page在EEPROM是個(gè)結(jié)構(gòu)概念,但其實(shí)也跟WRITE命令有關(guān),因?yàn)镋EPROM既可以按byte去寫(xiě),也可以按Page去寫(xiě),如果需要存入連續(xù)的數(shù)據(jù),顯然按Page去寫(xiě)效率比按Byte寫(xiě)入更高。這里需要注意的是,WRITE命令后面跟的字節(jié)數(shù)不能超過(guò)要寫(xiě)入的首地址所在Page剩余的字節(jié)數(shù)。下圖示例的Page寫(xiě)時(shí)序最大byte數(shù)為16/32,是因?yàn)槭纠鼸EPROM的page size即16/32 byte。

        當(dāng)一次WRITE時(shí)序內(nèi)要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)全部發(fā)送完成之后,底下便進(jìn)入等待周期,與READ時(shí)序不同的是,WRITE時(shí)序有等待周期,因?yàn)镋EPROM內(nèi)部要將緩存在page buffer里的數(shù)據(jù)編程到真正的內(nèi)存空間里,這需要時(shí)間。用戶(hù)只能通過(guò)不斷地發(fā)送如下RDSR命令去讀取狀態(tài)寄存器bit0 - RDY#來(lái)判斷WRITE等待周期是否結(jié)束。因此寫(xiě)時(shí)序速率不僅僅取決于SPI總線(xiàn)速率,還取決于等待周期時(shí)長(zhǎng)。

        如果想快捷地了解SPI EEPROM的性能,最簡(jiǎn)單的就是打開(kāi)SPI EEPROM手冊(cè),看首頁(yè)的feature介紹,如下是25AA080的簡(jiǎn)要feature:

      ? Max. Clock 10 MHz
      ? 1024 x 8-bit Organization
      ? 16 Byte Page (‘C’ version devices)
      ? 32 Byte Page (‘D’ version devices)
      ? Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)
      ? Block Write Protection:
        - Protect none, 1/4, 1/2 or all of array
      ? Built-In Write Protection:
        - Power-on/off data protection circuitry
        - Write enable latch
        - Write-protect pin
      ? Sequential Read
      ? High Reliability:
        - Endurance: > 1M erase/write cycles
        - Data retention: > 200 years
      

      三、SPI EEPROM產(chǎn)品

        最后痞子衡收集了可以售賣(mài)SPI EEPROM芯片的廠(chǎng)商及產(chǎn)品系列:

      廠(chǎng)商 芯片系列 官方網(wǎng)址
      Microchip
      Atmel
      25AA, 25LC
      AT25
      https://www.microchip.com
      spi-eeprom-part-catalog
      ST M95 https://www.stmicroelectronics.com.cn
      spi-eeprom-part-catalog
      Onsemi CAT25 https://www.onsemi.cn
      spi-eeprom-part-catalog
      Renesas R1EX25 https://www.renesas.com/
      spi-eeprom-part-catalog
      Rohm BR25A, BR25G, BR25H, BR25S https://www.rohm.com
      spi-eeprom-part-catalog
      Fudan Micro FM25 http://www.fmsh.com
      spi-eeprom-part-catalog

        至此,EEPROM接口標(biāo)準(zhǔn)及SPI EEPROM痞子衡便介紹完畢了,掌聲在哪里~~~

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      posted @ 2019-11-16 23:13  痞子衡  閱讀(3258)  評(píng)論(0)    收藏  舉報(bào)
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